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參數(shù)資料
| 型號： | GS81302D10E-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 33/33頁 |
| 文件大小： | 687K |
| 代理商： | GS81302D10E-300I |
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Example x18 RAM Write Sequence using Byte Write Enables
Data In Sample Time
BW0
BW1
D0–D8
D9–D17
Beat 1
0
1
Data In
Don’t Care
Beat 2
1
0
Don’t Care
Data In
Beat 3
0
Data In
Beat 4
1
0
Don’t Care
Data In
Resulting Write Operation
Byte 1
D0–D8
Byte 2
D9–D17
Byte 1
D0–D8
Byte 2
D9–D17
Byte 1
D0–D8
Byte 2
D9–D17
Byte 1
D0–D8
Byte 2
D9–D17
Written
Unchanged
Written
Unchanged
Written
Beat 1
Beat 2
Beat 3
Beat 4
Preliminary
GS81302D07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 12/2010
9/33
2008, GSI Technology
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS81302T09E-375T | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T18E-350T | 8M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T10E-350I | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS81302T110E-450T | 16M X 9 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| GS816136CGD-250T | 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS81302D10E-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-333 - Trays |
| GS81302D10E-333I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-333I - Trays |
| GS81302D10E-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk |
| GS81302D10E-375 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-375 - Trays |
| GS81302D10E-375I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-375I - Trays |
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