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參數(shù)資料
| 型號： | GS81302D10E-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 10/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 687K |
| 代理商： | GS81302D10E-300I |
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Preliminary
GS81302D07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 12/2010
18/33
2008, GSI Technology
Programmable Impedance HSTL Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Notes
Output High Voltage
VOH1
VDDQ/2 – 0.12
VDDQ/2 + 0.12
V
1, 3
Output Low Voltage
VOL1
VDDQ/2 – 0.12
VDDQ/2 + 0.12
V
2, 3
Output High Voltage
VOH2
VDDQ – 0.2
VDDQ
V
4, 5
Output Low Voltage
VOL2
Vss
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
IOH = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOH = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤ 350Ω).
2.
IOL = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOL = VDDQ/2 (for: 175Ω ≤ RQ ≤350Ω).
3. Parameter tested with RQ = 250
Ω and VDDQ = 1.5 V
4. 0
Ω ≤ RQ ≤ ∞Ω
5. IOH = –1.0 mA
6. IOL = 1.0 mA
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