參數(shù)資料
型號: GS81302D10E-300I
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: SRAM
英文描述: 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數(shù): 28/33頁
文件大?。?/td> 687K
代理商: GS81302D10E-300I
8M x 18 SigmaQuad-II+ SRAM—Top View
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A
CQ
SA
W
BW1
K
NC
(288Mb
SA)
R
SA
CQ
B
NC
Q9
D9
SA
NC
K
BW0
SA
NC
Q8
C
NC
D10
VSS
SA
NC
SA
VSS
NC
Q7
D8
D
NC
D11
Q10
VSS
NC
D7
E
NC
Q11
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
D6
Q6
F
NC
Q12
D12
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
Q5
G
NC
D13
Q13
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
D5
H
Doff
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
D14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
Q4
D4
K
NC
Q14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
D3
Q3
L
NC
Q15
D15
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
Q2
M
NC
D16
VSS
NC
Q1
D2
N
NC
D17
Q16
VSS
SA
VSS
NC
D1
P
NC
Q17
SA
QVLD
SA
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
ODT
SA
TMS
TDI
11 x 15 Bump BGA—15 x 17 mm Body—1 mm Bump Pitch
Notes:
1. BW0 controls writes to D0:D8. BW1 controls writes to D9:D17.
2. A7 is the expansion address.
Preliminary
GS81302D07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 12/2010
4/33
2008, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS81302T09E-375T 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302T18E-350T 8M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302T10E-350I 16M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
GS81302T110E-450T 16M X 9 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
GS816136CGD-250T 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS81302D10E-333 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-333 - Trays
GS81302D10E-333I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-333I - Trays
GS81302D10E-350 制造商:GSI Technology 功能描述:165 FBGA - Bulk
GS81302D10E-375 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-375 - Trays
GS81302D10E-375I 制造商:GSI Technology 功能描述:GS81302D10E-375I - Trays