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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29DL400E-12RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆（4米× 8/2M × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 46/59頁 |
| 文件大小： | 603K |
| 代理商： | ES29DL400E-12RTG |
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ESI
46
Rev. 2D Jan 5, 2006
ES29LV320D
Excel Semiconductor inc.
CE#
RESET#
RY/BY#
t
RSP
Figure 27. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
t
VIDR
Program or Erase Command Sequence
t
VIDR
t
RRB
V
ID
Vss,V
IL
,
or V
IH
WP#/ACC
t
VHH
t
VHH
V
HH
V
IL
or V
IH
Figure 28. Accelerated Program Timing Diagram
WE#
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time (See Note)
Min
250
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
t
RRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
AC CHARACTERISTICS
Table 17. Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
V
IL
or V
IH
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PDF描述 |
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| ES29DL400F-12RTG | 32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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