型號(hào) 廠商 描述
mrf6s9060nr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 CAP CER .10UF 100V 20% AXIAL
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9125
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9130hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf6s9160hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf6v2010n
2 3 4 5 6 7 8 9		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor
mrf6v2150nbr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf6v2150n
2 3 4 5 6 7 8		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf6v2300nbr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf6v2300n
2 3 4 5 6 7 8		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf6vp11khr6
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf7s19100nbr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf7s19170hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf7s21080hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf7s21150hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf7s38010h
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf9002nr2
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
mrf9030mr1_07
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrf9030mr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
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2 3 4 5 6 7 8		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors
mrf9060lr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
mrf9080lr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors(N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs)
mrf9200lr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
mrf9200lsr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
mrf9582nt1
2 3 4 5 6 7 8		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Silicon Lateral FET, N -Channel Enhancement-Mode MOSFET
mrfe6p3300hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
mrfe6s9045nr1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor
mrfe6s9130hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrfe6s9135hr3
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
mrfg35002n6t1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
mrfg35003mt1
2 3 4 5		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
mrfg35005mt1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
mrfg35005nt1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
mrfg35010ant1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT
mrfg35010ar1
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
mrfg35010n
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 RF Power Field Effect Transistor
mrfg35010
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
mrfg35030r5
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
mrfic0970
2 3 4 5 6 7 8		 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
mrw2001f
2 3 4 5		 TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93
mrw2010
2 3 4 5		 TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49
mrw3001f
2 3 4 5		 TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-49
ms241a-rd
2		 0.4 TWO DIGIT NUMERIC DISPLAYS
ms246a-b
2		 0.43 DUAL DIGIT NUMERIC DISPLAYS
ms5212bp
2 3 4		 Industrial Control IC
ms5212bs
2 3 4		 Industrial Control IC