型號(hào): | MRFG35010 |
廠商: | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
英文描述: | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
中文描述: | 砷化鎵PHEMT的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
文件頁數(shù): | 9/12頁 |
文件大小: | 235K |
代理商: | MRFG35010 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MRFG35030R5 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
MRFIC0970 | 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier |
MRW2001F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250MA I(C) | FO-93 |
MRW2010 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 2A I(C) | FO-49 |
MRW3001F | TRANSISTOR | BJT | NPN | FO-49 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MRFG35010ANR5 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
MRFG35010ANT1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS PLD1.5N RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
MRFG35010AR1 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
MRFG35010AR5 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
MRFG35010MR5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |