參數(shù)資料
型號(hào): MRF6S9060NR1
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述: CAP CER .10UF 100V 20% AXIAL
中文描述: 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 10/16頁(yè)
文件大小: 533K
代理商: MRF6S9060NR1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
850
865
880
2.28 + j0.23
2.20 + j0.47
2.18 + j0.33
0.44 - j0.20
0.44 - j0.07
0.45 + j0.50
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA, P
out
= 14 W Avg.
895
910
2.00 + j0.68
2.15 + j0.61
0.48 + j0.18
0.52 + j0.29
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Z
o
= 5
f = 850 MHz
f = 910 MHz
Z
source
f = 850 MHz
f = 910 MHz
Z
load
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PDF描述
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參數(shù)描述
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