參數(shù)資料
型號(hào): MRFG35010ANT1
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述: Gallium Arsenide PHEMT
中文描述: 砷化鎵PHEMT器件
文件頁數(shù): 11/12頁
文件大?。?/td> 260K
代理商: MRFG35010ANT1
MRFG35010ANT1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
0.115
2.92
0.020
0.51
0.115
2.92
mm
inches
0.095
2.41
0.146
3.71
SOLDER FOOTPRINT
CASE 466-03
ISSUE D
PLD-1.5
PLASTIC
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1984.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH
3. RESIN BLEED/FLASH ALLOWABLE IN ZONE V, W,
AND X.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
MIN
0.255
0.225
0.065
0.130
0.021
0.026
0.050
0.045
0.160
MAX
0.265
0.235
0.072
0.150
0.026
0.044
0.070
0.063
0.180
MIN
6.48
5.72
1.65
3.30
0.53
0.66
1.27
1.14
4.06
MAX
6.73
5.97
1.83
3.81
0.66
1.12
1.78
1.60
4.57
MILLIMETERS
INCHES
K
L
N
P
Q
R
S
U
0.273
0.245
0.230
0.000
0.055
0.200
0.006
0.006
0.000
0.000
0.000
0.285
0.255
0.240
0.008
0.063
0.210
0.012
0.012
0.021
0.010
0.010
6.93
6.22
5.84
0.00
1.40
5.08
0.15
0.15
0.00
0.00
0.00
7.24
6.48
6.10
0.20
1.60
5.33
0.31
0.31
0.53
0.25
0.25
ZONE V
ZONE W
ZONE X
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
4. SOURCE
éé
éé
éé
éé
éé
éééé
éééé
éééé
éééé
éééé
A
B
D
F
L
R
3
4
2
1
K
N
ZONE V
ZONE W
ZONE X
G
S
H
U
10 DRAFT
P
C
E
0.35 (0.89) X 45 5
Y
Y
Q
VIEW Y-Y
2
1
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35010AR1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010N RF Power Field Effect Transistor
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MRFIC0970 3.2V GSM GaAs Intergrated Power Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFG35010AR1 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010AR5 功能描述:射頻GaAs晶體管 3.5GHZ 10W GAAS NI360HF RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
MRFG35010MR5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRFG35010MT1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35010N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor