參數(shù)資料
型號(hào)： CYDD09S36V18-200BBXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 7.2 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, MO-192, FBGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 2/53頁(yè)
文件大小： 2422K
代理商： CYDD09S36V18-200BBXC
FullFlex
Document #: 38-06072 Rev. *I
Page 10 of 53
Table 3. Data Pin Assignment for SDR and DDR Configuration
BE Pin Name for
DDR
BE Pin Name for
SDR
x72 SDR Mode
x36 DDR Mode
Data Pin Name
Related Rising Edge
Clock for Write
Related Rising Edge
Clock for Read
Data Pin
Name
BE[3]
BE[7]
DQ[71]
C
DQ[35]
BE[3]
DQ[35]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[70]
C
DQ[34]
BE[3]
DQ[34]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[69]
C
DQ[33]
BE[3]
DQ[33]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[68]
C
DQ[32]
BE[3]
DQ[32]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[67]
C
DQ[31]
BE[3]
DQ[31]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[66]
C
DQ[30]
BE[3]
DQ[30]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[65]
C
DQ[29]
BE[3]
DQ[29]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[64]
C
DQ[28]
BE[3]
DQ[28]
C
BE[3]
BE[7]
DQ[63]
C
DQ[27]
BE[3]
DQ[27]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[62]
C
DQ[26]
BE[2]
DQ[26]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[61]
C
DQ[25]
BE[2]
DQ[25]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[60]
C
DQ[24]
BE[2]
DQ[24]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[59]
C
DQ[23]
BE[2]
DQ[23]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[58]
C
DQ[22]
BE[2]
DQ[22]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[57]
C
DQ[21]
BE[2]
DQ[21]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[56]
C
DQ[20]
BE[2]
DQ[20]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[55]
C
DQ[19]
BE[2]
DQ[19]
C
BE[2]
BE[6]
DQ[54]
C
DQ[18]
BE[2]
DQ[18]
C
BE[1]
BE[5]
DQ[53]
C
DQ[17]
BE[1]
DQ[17]
C
BE[1]
BE[5]
DQ[52]
C
DQ[16]
BE[1]
DQ[16]
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CMUI-67202AL-25 1K X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
CP20840CPGA299B-0C FPGA, 8400 GATES, CPGA299
CP20840PQFP160B-0C FPGA, 8400 GATES, PQFP160
CP20840PQFP208B-0C FPGA, 8400 GATES, PQFP208
CP20840CPGA223A-1C FPGA, 1685 CLBS, 7100 GATES, CPGA223
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYDD09S72V18-167BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 9M Sync Dual Port 128Kx72 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD09S72V18-167BBXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 9M Sync Dual Port 128Kx72 90nm DDR IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD09S72V18-200BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 9M Sync Dual Port 128Kx72 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD18S18V18-167BBC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M Sync Dual Port 512Kx36 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD18S18V18-167BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M Sync Dual Port 512Kx36 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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