參數(shù)資料
型號: CY7C1410AV18_07
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 的36 - Mbit QDR - II型⑩SRAM的2字突發(fā)結(jié)構(gòu)
文件頁數(shù): 23/25頁
文件大?。?/td> 1021K
代理商: CY7C1410AV18_07
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
Page 23 of 25
Ordering Information
Not all of the speed, package and temperature ranges are available. Please contact your local sales representative or visit
www.cypress.com
for actual products offered.
Speed
(MHz)
Ordering Code
Diagram
167
CY7C1410AV18-167BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-167BZC
CY7C1412AV18-167BZC
CY7C1414AV18-167BZC
CY7C1410AV18-167BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-167BZXC
CY7C1412AV18-167BZXC
CY7C1414AV18-167BZXC
CY7C1410AV18-167BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-167BZI
CY7C1412AV18-167BZI
CY7C1414AV18-167BZI
CY7C1410AV18-167BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-167BZXI
CY7C1412AV18-167BZXI
CY7C1414AV18-167BZXI
200
CY7C1410AV18-200BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-200BZC
CY7C1412AV18-200BZC
CY7C1414AV18-200BZC
CY7C1410AV18-200BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-200BZXC
CY7C1412AV18-200BZXC
CY7C1414AV18-200BZXC
CY7C1410AV18-200BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-200BZI
CY7C1412AV18-200BZI
CY7C1414AV18-200BZI
CY7C1410AV18-200BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-200BZXI
CY7C1412AV18-200BZXI
CY7C1414AV18-200BZXI
250
CY7C1410AV18-250BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
CY7C1425AV18-250BZC
CY7C1412AV18-250BZC
CY7C1414AV18-250BZC
CY7C1410AV18-250BZXC 51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1425AV18-250BZXC
CY7C1412AV18-250BZXC
CY7C1414AV18-250BZXC
Package
Package Type
Operating
Range
Commercial
Industrial
Commercial
Industrial
Commercial
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1410AV18-167BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1410AV18-167BZXC 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1410AV18-167BZXI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1410AV18-200BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1410AV18-200BZXC 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1411BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1411SV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray