參數(shù)資料
型號: CY7C1410AV18_07
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 的36 - Mbit QDR - II型⑩SRAM的2字突發(fā)結(jié)構(gòu)
文件頁數(shù): 13/25頁
文件大?。?/td> 1021K
代理商: CY7C1410AV18_07
CY7C1410AV18
CY7C1425AV18
CY7C1412AV18
CY7C1414AV18
Document #: 38-05615 Rev. *D
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TAP Controller State Diagram
[9]
Note:
9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
TEST-LOGIC
RESET
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
1
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0
1
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1410AV18-167BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1410AV18-167BZXC 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
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CY7C1410AV18-200BZI 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1410AV18-200BZXC 36-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1411KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1411SV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray