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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1380C-167AI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.4 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 25/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 788K |
| 代理商： | CY7C1380C-167AI |
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CY7C1380C
CY7C1382C
Document #: 38-05237 Rev. *D
Page 25 of 36
I
SB3
Automatic CE
Power-down
Current—CMOS Inputs
V
DD
= Max, Device Deselected, or
V
IN
≤
0.3V or V
IN
> V
DDQ
– 0.3V
f = f
MAX
= 1/t
CYC
4.0-ns cycle, 250 MHz
4.4-ns cycle, 225 MHz
5.0-ns cycle, 200 MHz
6.0-ns cycle, 167 MHz
7.5-ns cycle, 133 MHz
All speeds
105
100
95
85
80
80
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB4
Automatic CE
Power-down
Current—TTL Inputs
V
DD
= Max, Device Deselected,
V
IN
≥
V
IH
or V
IN
≤
V
IL
, f = 0
Shaded areas contain advance information.
Notes:
12.Overshoot: V
(AC) < V
+1.5V (Pulse width less than t
/2), undershoot: V
(AC) > -2V (Pulse width less than t
CYC
/2).
13.TPower-up: Assumes a linear ramp from 0v to V
DD
(min.) within 200ms. During this time V
IH
< V
DD
and V
DDQ
< V
DD\
Thermal Resistance
[14]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedence, per EIA / JESD51.
TQFP
Package
31
BGA
Package
45
fBGA
Package
46
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
6
7
3
°
C/W
Capacitance
[14]
Parameter
Description
Test Conditions
TQFP
Package
BGA
Package
fBGA
Package
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 2.5V
5
8
9
pF
C
CLK
Clock Input Capacitance
5
8
9
pF
C
I/O
Input/Output Capacitance
5
8
9
pF
Notes:
14.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[12, 13]
(continued)
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1380C-167BGC | 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |
| CY7C1380C-167BGI | 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |
| CY7C1380C-200AC | 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |
| CY7C1380C-200BGC | 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |
| CY7C1380C-250AC | 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1380C-167BGC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1380C-167BGCT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1380C-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 18MBIT 512KX36 3.4NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1380C-167BZI | 功能描述:IC SRAM 512KX36 SYNC 165-FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C1380C-200AC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16MB (512KX36) 3.3V SYNC-PIPE (SINGLE CYCLE DESELECT) SRAM - Bulk |
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