參數(shù)資料
型號: CY7C1356CV25-225BGC
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
中文描述: 9兆位(256 × 36/512K × 18)流水線的SRAM的總線延遲,TM架構
文件頁數(shù): 4/25頁
文件大?。?/td> 353K
代理商: CY7C1356CV25-225BGC
PRELIMINARY
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *B
Page 4 of 25
Pin Configurations
(continued)
2
A
3
A
4
5
A
6
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
DQ
a
NC
V
DDQ
NC
NC
DQ
c
DQ
c
DQ
d
DQ
d
DQ
c
V
DDQ
DQ
d
DQ
d
V
DDQ
E(18)
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
CE
2
A
DQP
c
A
A
V
DDQ
DQ
c
V
DDQ
NC
NC
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
c
DQ
d
DQ
d
DQ
d
DQ
d
TMS
V
DD
A
E(72)
DQP
d
A
ADV/LD
V
DD
NC
CE
1
OE
A
A
A
CE
3
A
DQP
b
DQ
b
V
SS
V
SS
V
SS
BW
c
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
DQ
b
V
DDQ
DQ
b
DQ
b
DQ
a
DQP
a
DQ
b
DQ
b
DQ
b
V
DD
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
DQ
a
NC
TDI
TDO
V
DDQ
TCK
V
SS
NC
V
SS
BW
d
V
SS
V
SS
V
SS
MODE
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
WE
V
DD
CLK
NC
V
DDQ
CEN
A1
A0
V
DDQ
DQ
a
ZZ
A
A
V
DD
A
CY7C1354CV25 (256K × 36) – 14 × 22 BGA
E(36)
119-ball BGA Pinout
2
A
3
A
A
A
4
5
A
A
A
6
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
E(36)
TCK
DQ
a
NC
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
NC
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
NC
DQ
b
NC
DQ
b
V
DDQ
NC
DQ
b
V
DDQ
E(18)
V
DDQ
NC
NC
NC
DQ
a
V
DDQ
CE
2
A
V
DDQ
NC
E(72)
DQ
b
NC
V
DD
DQ
b
NC
DQ
b
NC
DQP
b
TMS
A
A
A
ADV/LD
V
DD
NC
CE
3
A
DQP
a
NC
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
NC
DQ
a
NC
V
DDQ
DQ
a
NC
DQ
a
NC
DQ
a
V
DD
NC
DQ
a
NC
DQ
a
NC
V
DDQ
NC
NC
TDI
TDO
V
DDQ
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
MODE
CE
1
OE
A
WE
V
DD
CLK
NC
CEN
A1
A0
ZZ
A
A
A
V
DD
CY7C1356CV25 (512K x 18)–14 x 22 BGA
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1356CV25-225BGI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BGXC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BGXI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BZC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BZI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1356CV25-250AXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1356S-166AXC 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356S-166AXI 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356S-166BGC 功能描述:IC SRAM 512KX18 NOBL 119-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356SV25-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 9-Mbit Pipelined 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray