參數(shù)資料
型號: CY7C1356CV25-225BGC
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
中文描述: 9兆位(256 × 36/512K × 18)流水線的SRAM的總線延遲,TM架構(gòu)
文件頁數(shù): 19/25頁
文件大小: 353K
代理商: CY7C1356CV25-225BGC
PRELIMINARY
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *B
Page 19 of 25
NOP, STALL and DESELECT CYCLES
[23,24,26]
1
ZZ Mode Timing
[27,28]
26.The IGNORE CLOCK EDGE or STALL cycle (Clock 3) illustrated CEN being used to create a pause. A write is not performed during this cycle
27.Device must be deselected when entering ZZ mode. See cycle description table for all possible signal conditions to deselect the device.
28.I/Os are in High-Z when exiting ZZ sleep mode.
Switching Waveforms
(continued)
READ
Q(A3)
4
5
6
7
8
9
10
CLK
CE
WE
CEN
BW
X
ADV/LD
ADDRESS
A3
A4
A5
D(A4)
Data
In-Out (DQ)
A1
Q(A5)
WRITE
D(A4)
STALL
WRITE
D(A1)
2
3
READ
Q(A2)
STALL
NOP
READ
Q(A5)
DESELECT
CONTINUE
DESELECT
DON’T CARE
UNDEFINED
t
CHZ
A2
D(A1)
Q(A2)
Q(A3)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1356CV25-225BGI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BGXC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BGXI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BZC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BZI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1356S-166AXC 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356S-166AXI 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356S-166BGC 功能描述:IC SRAM 512KX18 NOBL 119-BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356SV25-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 9-Mbit Pipelined 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray