參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1356CV25-225BGC
廠(chǎng)商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
中文描述： 9兆位（256 × 36/512K × 18）流水線(xiàn)的SRAM的總線(xiàn)延遲，TM架構(gòu)
文件頁(yè)數(shù)： 14/25頁(yè)
文件大?。?/td> 353K
代理商： CY7C1356CV25-225BGC
PRELIMINARY
CY7C1354CV25
CY7C1356CV25
Document #: 38-05537 Rev. *B
Page 14 of 25
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Identification Codes
(continued)
Instruction
Code
Description
Boundary Scan Exit Order (×36)
Bit #
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
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19
20
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28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
119-Ball ID
K4
H4
M4
F4
B4
G4
C3
B3
D6
H7
G6
E6
D7
E7
F6
G7
H6
T7
K7
L6
N6
P7
N7
M6
L7
K6
P6
T4
A3
C5
B5
A5
C6
A6
P4
N4
R6
T5
T3
R2
R3
165-Ball ID
B6
B7
A7
B8
A8
A9
B10
A10
C11
E10
F10
G10
D10
D11
E11
F11
G11
H11
J10
K10
L10
M10
J11
K11
L11
M11
N11
R11
R10
P10
R9
P9
R8
P8
R6
P6
R4
P4
R3
P3
R1
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
P2
P1
L2
K1
N2
N1
M2
L1
K2
N1
L2
K2
J2
M2
M1
L1
K1
J1
Not Bonded
(Preset to 1)
H1
G2
E2
D1
H2
G1
F2
E1
D2
C2
A2
E4
B2
L3
G3
G5
L5
B6
Not Bonded
(Preset to 1)
G2
F2
E2
D2
G1
F1
E1
D1
C1
B2
A2
A3
B3
B4
A4
A5
B5
A6
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
Boundary Scan Exit Order (×18)
Bit #
1
2
3
4
5
6
7
8
9
119-Ball ID
K4
H4
M4
F4
B4
G4
C3
B3
T2
165-Ball ID
B6
B7
A7
B8
A8
A9
B10
A10
A11
Boundary Scan Exit Order (×36)
(continued)
Bit #
119-Ball ID
165-Ball ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1356CV25-225BGI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BGXC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BGXI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BZC 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
CY7C1356CV25-225BZI 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1356CV25-250AXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1356S-166AXC 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356S-166AXI 功能描述:IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356S-166BGC 功能描述:IC SRAM 512KX18 NOBL 119-BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C1356SV25-166AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 9-Mbit Pipelined 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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