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參數(shù)資料
| 型號： | CY22E016L |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 16-Kbit (2K x 8) nvSRAM |
| 中文描述： | 16千位（2K × 8）非易失 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 748K |
| 代理商： | CY22E016L |
PRELIMINARY
CY22E016L
Document #: 001-06727 Rev. *C
Page 10 of 14
Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled
[12,13]
Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled
Note:
13.CE or WE must be > V
IH
during address transitions.
Switching Waveforms
(continued)
t
WC
t
SCE
t
HA
t
AW
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
ADDRESS
CE
WE
DATA IN
DATA OUT
DATA VALID
HIGH IMPEDANCE
PREVIOUS DATA
t
WC
ADDRESS
t
SA
t
SCE
t
HA
t
AW
t
PWE
t
SD
t
HD
CE
WE
DATA IN
DATA OUT
HIGH IMPEDANCE
DATA VALID
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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