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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG11X |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | BFG11X |
1995 Apr 07
9
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
Fig.8 Printed-circuit board and component lay-out for common-emitter test circuit in Fig.7.
Dimensions in mm.
The components are situated on one side of the copper-clad PTFE microfibre-glass board, the other side is not etched and
serves as a ground plane. Earth connections from the component side to the ground plane are made by through metallization.
handbook, full pagewidth
MLC852
Collector
Base
Collector
Base
70
60
C1
C3
C5
C6
C7
R2
L2
L3 L4
C8
C9
L7
C10
R1
T1
C14
C15
V
C11
C12
C13
C4
C2
L1
L5
L6
L8
L9
L11
L10
bias
VS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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