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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG11X |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BFG11X |
1995 Apr 07
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
List of components used in test circuit
(see Fig.8)
Notes
1.
2.
American Technical Ceramics (ATC) capacitor, type 100A or other capacitor of the same quality.
The striplines are on a
1
32
inch double copper-clad printed-circuit board with PTFE fibre-glass dielectric (
ε
r
= 6).
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
DIMENSIONS
CATALOGUE N0.
C1, C8, C9, C10
C2
C3
C4, C7
C5, C6,
C11, C12,C13
C14, C15
L1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
multilayer ceramic chip capacitor; note 1
electrolytic capacitor
stripline; note 2
24 pF
0.4 pF
0.6 pF
1 pF
1.5 pF
10 nF
10 V; 470
μ
F
2222 031 34471
length 4 mm
width 0.93 mm
length 26 mm
width 0.93 mm
length 1.9 mm
width 0.93 mm
length 3.1 mm
width 0.93 mm
length 1.8 mm
width 0.93 mm
length 26.4 mm
width 0.93 mm
length 10 mm
width 0.93 mm
length 4.4 mm
width 0.4 mm
length 19.3 mm
width 0.93 mm
length 19.7 mm
width 0.4 mm
L2
stripline; note 2
L3
stripline; note 2
L4
stripline; note 2
L5
stripline; note 2
L6
stripline; note 2
L7
stripline; note 2
L8
stripline; note 2
L9
stripline; note 2
L10
stripline; note 2
L11
T1
R1
R2
micro choke
BD228
metal film resistor
metal film resistor
20
;
0.4 W
265
;
0.4 W
2322 157 10209
2322 157 12651
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG16A | NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管) |
| BFG16 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFG17 | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BFG135,115 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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| BFG135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-223 |
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