參數(shù)資料
型號： BFG11X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
中文描述： 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管）
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 79K
代理商： BFG11X
1995 Apr 07
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
Test circuit information
Fig.7 Common-emitter test circuit for class-AB operation at 1900 MHz.
handbook, full pagewidth
MLC851
L10
C10
C1
L9
L3
L4
L6
L5
C9
C11, C12,
C13
C14
C15
C3, C4,
C5
C6, C7
L1
L2
C2
R1
T1
R2
L11
Vbias
50
input
50
output
C8
DUT
L7
L8
VS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG16A NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管)
BFG16 NPN 2 GHz wideband transistor
BFG17 NPN 3 GHz wideband transistor
BFG17A NPN 3 GHz wideband transistor
BFG197W TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-223
BFG135 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BFG135,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG135,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG135 Series 15 V 1 W 7 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-223-3
BFG135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*