參數(shù)資料
型號： BFG11X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
中文描述： 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BFG11X
1995 Apr 07
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
FEATURES
High power gain
High efficiency
Small size discrete power amplifier
1.9 GHz operating area
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
Common emitter class-AB operation in hand-held radio
equipment at 1.9 GHz.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistors encapsulated in a
plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG11
BFG11/X
N72
N73
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG11
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
BFG11/X
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 SOT143.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
amb
= 25
°
C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
≥
4
η
c
(%)
≥
50
Pulsed, class-AB, duty cycle < 1 : 8
1.9
3.6
400
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