參數(shù)資料
型號(hào): BFG11X
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
中文描述: 叩2 GHz射頻功率晶體管(npn型2 GHz的射頻功率晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 11/12頁(yè)
文件大小: 79K
代理商: BFG11X
1995 Apr 07
11
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
NOTES
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PDF描述
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BFG197W TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343
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BFG135,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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