參數(shù)資料
型號: BFG11X
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
中文描述: 叩2 GHz射頻功率晶體管(npn型2 GHz的射頻功率晶體管)
文件頁數(shù): 6/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商: BFG11X
1995 Apr 07
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
SPICE parameters for the BFG11 crystal
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(1)
20
(1)
21
(1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
(1)
35
(1)
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
3.338
97.14
0.988
31.40
51.45
23.53
2.386
13.73
0.989
2.448
100.0
54.10
1.224
1.740
1.000
1.740
59.65
0.124
0.000
1.110
3.000
9.555
0.600
0.315
12.96
400.0
0.866
5.940
0.000
4.274
0.650
0.392
0.150
0.000
0.000
fA
V
A
pA
V
A
fA
μ
A
m
eV
pF
V
ps
V
A
deg
pF
V
ns
F
Note
1.
These parameters have not been extracted, the
default values are shown.
List of components
(see Fig.6)
36
(1)
37
(1)
38
VJS
MJS
FC
750.0
0.000
0.742
mV
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3
L
B
L
E
84
17
191
0.12
0.21
0.06
0.95
0.40
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
QL
= 50; QL
= 50; QL
(f) = QL
B,E
(f/f
c
);
f
c
= scaling frequency = 100 MHz.
Fig.6 Package equivalent circuit SOT143.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
LB
LE
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
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PDF描述
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