參數(shù)資料
型號： BFG11X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
中文描述： 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BFG11X
1995 Apr 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector cut-off current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
open emitter; I
C
= 0.1 mA; I
E
= 0
open base; I
C
= 10 mA; I
B
= 0
open collector; I
E
= 0.1 mA; I
C
= 0
V
CE
= 8 V; V
BE
= 0
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 3.6 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 3.6 V; f = 1 MHz
20
8
2.5
25
100
4
3
V
V
V
μ
A
pF
pF
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
MLC848
0
10
4
8
0
3
6
2
1
VCB(V)
2
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PDF描述
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