參數(shù)資料
型號(hào)： BFG11X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管)
中文描述： 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大小： 79K
代理商： BFG11X
1995 Apr 07
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(AV)
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
average collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
8
2.5
500
500
400
+150
175
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 60
°
C; note 1; see Fig.2
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
(mW)
400
0
50
100
200
200
0
MLC818
150
s
o
300
100
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the “Limiting values” and “Thermal characteristics”
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
up to T
s
= 60
°
C; note 1;
P
tot
= 400 mW
290
K/W
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PDF描述
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