- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369460 > BFG11X (NXP Semiconductors N.V.) NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BFG11X |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | 叩2 GHz射頻功率晶體管（npn型2 GHz的射頻功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | BFG11X |
1995 Apr 07
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
APPLICATION INFORMATION
RF performance at T
amb
= 25
°
C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
Ruggedness in class-AB operation
The BFG11 is capable of withstanding a load mismatch corresponding to VSWR = 8 : 1 through all phases, at rated
output power under pulsed conditions up to a supply voltage of 8 V, f = 1.9 GHz and a duty cycle of 1 : 8.
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
CQ
(mA)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
≥
4
typ. 5
η
c
(%)
≥
50
typ. 70
Pulsed, class-AB, duty cycle < 1 : 8
1.9
3.6
1
400
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 400 mW.
Fig.4
Power gain and collector efficiency as
functions of load power; typical values.
handbook, halfpage
(dB)
0
0
MLC849
2
4
6
100
20
40
60
80
200
400
600
800
Gp
PL
c
(%)
η
c
η
Fig.5
Load power as a function of drive power;
typical values.
Pulsed, class-AB operation.
V
CE
= 3.6 V; V
BE
= 0.65 V; f = 1.9 GHz; duty cycle < 1 : 8.
Circuit optimized for P
L
= 400 mW.
handbook, halfpage
PL
(mW)
0
100
200
300
0
MLC850
600
400
200
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG16A | NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管) |
| BFG16 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFG17 | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG197W | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-343 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-223 |
| BFG135 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| BFG135,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG135,115-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFG135 Series 15 V 1 W 7 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-223-3 |
| BFG135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-223 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。