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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AB28F400BX-T90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | JT 32C 32#20 PIN RECP |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 12V PROM, 90 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 1.110 X 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | AB28F400BX-T90 |
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A28F400BX-T/B
AC CHARACTERISTICSDRead Only Operations
(1)
Versions
A28F400BX-90
(4, 5)
Unit
Symbol
Parameter
Notes
Min
Max
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to
Output Delay
90
ns
t
ELQV
t
CE
CE
Y
to Output Delay
90
ns
t
PHQV
t
PWH
RP
Y
High to
Output Delay
300
ns
t
GLQV
t
OE
OE
Y
to Output Delay
2
45
ns
t
ELQX
t
LZ
CE
Y
to Output Low Z
0
ns
t
EHQZ
t
HZ
CE
Y
High to Output
High Z
35
ns
t
GLQX
t
OLZ
OE
Y
to Output Low Z
3
0
ns
t
GHQZ
t
DF
OE
Y
High to Output
High Z
3
35
ns
t
OH
Output Hold from
Addresses,
CE
Y
or OE
Y
Change,
Whichever is First
3
0
ns
t
ELFL
t
ELFH
CE
Y
to BYTE
Y
Switching
Low or High
3
5
ns
t
FHQV
BYTE
Y
Switching
High to Valid
Output Delay
3, 5
90
ns
t
FLQZ
BYTE
Y
Switching
Low to
Output High Z
3
35
ns
NOTES:
1. See AC Input/Output Reference Waveform for timing measurements.
2. OE
Y
may be delayed up to t
CE
–t
OE
after the falling edge of CE
Y
without impact on t
CE
.
3. Sampled, not 100% tested.
4. See Standard Test Configuration.
5. t
FLQV
, BYTE
Y
switching low to valid output delay, will be equal to t
AVQV
from the time DQ
15
/A
b
1
becomes valid.
26
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| ABR-42018 | Capacitor Selection for the ML6428-1 S-Video Filter |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AB28F800B5B90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:5 VOLT BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| AB28F800B5T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:5 VOLT BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| AB28F800B5T90 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:5 VOLT BOOT BLOCK FLASH MEMORY |
| AB28L72K8BFB0S | 制造商:ATP Electronics Inc 功能描述:1GB DDR266 REGISTERED ECC MODULE ULTRA-LOW - Bulk |
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