- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F800C3 (INTEL CORP) 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F800C3 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 51/59頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | 28F800C3 |
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E
C.5
28F800C3, 28F160C3, 28F320C3
51
PRELIMINARY
SYSTEM INTERFACE INFORMATION
Table 6. System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
--27
Value
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1B:
2.7 V
1Ch
1
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
V
PP
[programming] supply minimum program/erase
voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
V
PP
[programming] supply maximum program/erase
voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
“n” such that typical single word program time-out =
2
μs
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μs
“n” such that typical block erase time-out = 2
n
ms
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n
ms
“n” such that maximum word program time-out = 2
n
times typical
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n
times
typical
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n
times
typical
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n
times
typical
1D:
--B4
11.4 V
1Eh
1
1E:
--C6
12.6 V
1Fh
1
1F:
--05
32 μs
20h
21h
22h
23h
1
1
1
1
20:
21:
22:
23:
--00
--0A
--00
--04
NA
1 s
NA
512μs
24h
1
24:
--00
NA
25h
1
25:
--03
8s
26h
1
26:
--00
NA
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