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參數(shù)資料
| 型號： | 28F800C3 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM |
| 文件頁數(shù)： | 38/59頁 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | 28F800C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3
E
38
PRELIMINARY
5.0
ORDERING INFORMATION
T E 2 8 F 3 2 0 C 3 T 9 0
Package
TE = 48-Lead TSOP
GT = 48-Ball μBGA* CSP
RC = Easy BGA
Product line designator
for all Intel
Flash products
Access Speed (ns)
8/16 Mbit = 90, 110
32 Mbit = 100, 110
Product Family
C3 = 3 V Advanced+ Boot Block
V
CC
= 2.7 V - 3.6 V
V
= 1.65 V - 3.6 V or
11.4 V - 12.6 V
Device Density
320 = x16 (32 Mbit)
160 = x16 (16 Mbit)
800 = x16 (8 Mbit)
T =
Top Blocking
B =
Bottom Blocking
VALID COMBINATIONS (All Extended Temperature)
48-Lead TSOP
TE28F320C3TA100
TE28F320C3BA100
48-Ball
μ
BGA* CSP
GT28F320C3TA100
GT28F320C3BA100
Easy BGA
RC28F320C3TA100
RC28F320C3BA100
Extended
32M
TE28F320C3TA110
TE28F320C3BA110
GT28F320C3TA110
GT28F320C3BA110
RC28F320C3TA110
RC28F320C3BA110
Extended
16M
TE28F160C3TA90
TE28F160C3BA90
GT28F160C3TA90
GT28F160C3BA90
RC28F160C3TA90
RC28F160C3BA90
TE28F160C3TA110
TE28F160C3BA110
GT28F160C3TA110
GT28F160C3BA110
RC28F160C3TA110
RC28F160C3BA110
Extended
8M
TE28F800C3TA90
TE28F800C3BA90
RC28F800C3TA90
RC28F800C3BA90
TE28F800C3TA110
TE28F800C3BA110
RC28F800C3TA110
RC28F800C3BA110
NOTE:
1.
The second line of the 48-ball μBGA package top side mark specifies assembly codes. For samples only, the first
character signifies either “E” for engineering samples or “S” for silicon daisy chain samples. All other assembly codes
without an “E” or “S” as the first character are production units.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級快速引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
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| 28F640J5 | 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲器) |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 28FAN2500_AAA3A862 WAF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 28FAN2502_AAA3A862 WAF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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