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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F800C3 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/59頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 321K |
| 代理商： | 28F800C3 |
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28F800C3, 28F160C3, 28F320C3
E
26
PRELIMINARY
4.3
T
A =
25 °C, f
=
1 MHz
Capacitance
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
Input Capacitance
1
6
8
pF
V
IN
=
0 V
C
OUT
Output Capacitance
1
10
12
pF
V
OUT
=
0 V
NOTE:
1.
Sampled, not 100% tested.
4.4
DC Characteristics
V
CC
2.7 V
–3.6 V
V
CCQ
2.7 V–3.6 V
Sym
Parameter
Note
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Load Current
1,7
±
1
μA
V
CC
=
V
CC
Max
V
CCQ
=
V
CCQ
Max
V
IN
=
V
CCQ
or GND
V
CC
=
V
CC
Max
V
CCQ
=
V
CCQ
Max
V
IN
=
V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1,7
0.2
±
10
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1
10
25
μA
V
CC
=
V
CC
Max
CE#
=
RP#
=
V
CCQ
WP#
=
V
CCQ
or GND
V
CC
=
V
CC
Max
V
CCQ
=
V
CCQ
Max
V
IN
=
V
CCQ
RP#
=
GND ± 0.2 V
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
OE# = V
IH
IL
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
V
PP
= V
PP1
Program in Progress
V
PP
=
V
PP2
(12 V)
Program in Progress
V
PP
=
V
PP1
Erase in Progress
V
PP
=
V
PP2
(12 V)
Erase in Progress
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
1,7
7
20
μA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,7
9
18
mA
I
CCW
V
CC
Program Current
1,4
18
55
mA
8
15
mA
I
CCE
V
CC
Erase Current
1,4
16
45
mA
8
15
mA
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
1,2,4
10
25
μA
CE# = V
IH
, Erase Suspend in
Progress
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 28F160C3 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 28F800F3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:FAST BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 8 AND 16 MBIT |
| 28FAN2500_AAA3A862 WAF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 28FAN2502_AAA3A862 WAF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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