參數(shù)資料
型號(hào)： 28F320W30
廠商： Intel Corp.
元件分類： DRAM
英文描述： 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
中文描述： 1.8伏英特爾無線閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30）
文件頁數(shù)： 82/82頁
文件大?。?/td> 749K
代理商： 28F320W30
28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
76
Preliminary
Partition and Erase-block Region Information
32 Mbit
–
T
–
B
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NOTES:
1. The variable P is a pointer which is defined at CFI offset 15h.
2. For a 16Mb the 1.8 Volt Intel
Wireless Flash memory z1 = 0100h = 256
256 * 256 = 64K, y1 = 17h = 23d
y1+1 = 24
24 * 64K = 1
MB
Partition 2
’
s offset is 0018 0000h bytes (000C 0000h words).
3. TPD - Top parameter device; BPD - Bottom parameter device.
4. Partition: Each partition is 4Mb in size. It can contain main blocks OR a combination of both main and
parameter blocks.
5. Partition Region: Symmetrical partitions form a partition region. (there are two partition regions, A. contains
all the partitions that are made up of main blocks only. B. contains the partition that is made up of the
parameter and the main blocks.
Address
16 Mbit
–
B
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64Mbit
128Mbit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F6408W30 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
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28F320C3 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory(3 V 高級(jí)快速引導(dǎo)塊閃速存儲(chǔ)器)
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