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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F320W30 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | 1.8伏英特爾無(wú)線閃存的3伏的I / O和SRAM（寬30） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/82頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | 28F320W30 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
6
Preliminary
NOTE:
For non-discrete devices, all flash signals are prefixed with F_ before its signal
’
s name.
2.5
Block Diagram
2.6
Flash Memory Map
The 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O memory is divided into separate
partitions to support the read-while-write/erase function. Each partition is 4-Mbits in size and can
operate independently from other partitions.
V
SS
Pwr
FLASH POWER SUPPLY GROUND:
Balls for internal device circuitry must be connected to system
ground.
V
SSQ
Pwr
FLASH OUTPUT POWER SUPPLY GROUND:
Balls for internal device circuitry must be connected to
system ground.
S-V
CC
Pwr
SRAM POWER SUPPLY:
Device operations at invalid S-V
CC
voltages should not be attempted.
S-V
SS
Pwr
SRAM GROUND:
Balls for all internal device circuitry must be connected to system ground.
DU
DON
’
T USE:
Do not use this ball. This ball should not be connected to any power supplies, control signals
and/or any other ball and must be floated.
NC
NO CONNECT:
No internal connection. Can be driven or floated.
Table 2. Signal Descriptions (Sheet 2 of 2)
Symbol
Type
Name and Function
Figure 3. 1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SLRAM Block Diagram
32, 64, 128 Mbit
Flash Memory
CE#
OE#
WE#
RST#
WP#
V
CC
V
CCQ
V
PP
4 or 8 Mbit
SRAM
S-SC
1
#
S-SC
2
S-OE#
S-WE#
S-LB#
S-V
CC
S-V
SS
A
0-17
/ A
0-18
A
18-20
/ A
19-21
or A
19-22
DQ
15-0
ADV#
CLK
WAIT
V
SS
V
SSQ
S-UB#
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PDF描述 |
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