參數(shù)資料
型號： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 53/54頁
文件大?。?/td> 760K
代理商： 28F016XD
E
28F016XD FLASH MEMORY
53
APPENDIX A
DEVICE NOMENCLATURE AND ORDERING
INFORMATION
Product line designator for all Intel Flash products
E28F0
6
1 XD-
Package
E = TSOP
Device Type
D = DRAM-Interface
5
8
Random Access Time
(t
RAC
) at 5V V
CC
ns)
Device Density
016 = 16 Mbit
Product Family
X = Fast Flash
0533_21
Valid Combinations
Order Code
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, 50 pF load,
1.5V I/O Levels
(1)
V
CC
= 5.0V ± 10%, 100 pF load,
TTL I/O Levels
(1)
E28F016XD 85
E28F016XD-95
E28F016XD-85
NOTE:
1.
See Section 5.3 for Transient Input/Output Reference Waveforms.
相關PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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