參數(shù)資料
型號： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內存接口閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 21/54頁
文件大?。?/td> 760K
代理商： 28F016XD
E
5.3 Transient Input/Output Reference Waveforms
28F016XD FLASH MEMORY
21
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
2.0
0.8
0.8
2.0
2.4
0.45
0533_05
AC test inputs are driven at V
(2.4 VTTL) for a Logic
“1” and V
(0.45 VTTL) for a Logic “0.” Input timing begins at V
IH
(2.0 VTTL) and V
IL
(0.8 VTTL). Output timing ends at V
IH
and V
IL
. Input rise and fall times (10% to 90%) <10 ns.
Figure 5. Transient Input/Output Reference Waveform for V
CC
= 5.0V ± 0.5V
(1)
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
1.5
3.0
0.0
1.5
0533_06
AC test inputs are driven at 3.0V for a Logic
“1” and 0.0V for a Logic “0.” Input timing begins, and output timing ends, at 1.5V.
Input rise and fall times (10% to 90%) <10 ns.
Figure 6. Transient Input/Output Reference Waveform for V
CC
= 3.3V ± 0.3V
(2)
NOTES:
1.
Testing characteristics for 28F016XD-85.
2. Testing characteristics for 28F016XD-95.
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PDF描述
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