參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 15/54頁(yè)
文件大小： 760K
代理商： 28F016XD
E
4.3 28F016XD
—Enhanced Command Bus Definitions
28F016XD FLASH MEMORY
15
First Bus Cycle
Second Bus Cycle
Command
Notes
Oper
Addr
Data
(3)
Oper
Addr
Data
(3)
Read Extended Status Register
1
Write
X
xx71H
Read
RA
GSRD
BSRD
Lock Block/Confirm
Write
X
xx77H
Write
BA
xxD0H
Upload Status Bits/Confirm
2
Write
X
xx97H
Write
X
xxD0H
ADDRESS
BA = Block Address
RA = Extended Register Address
PA = Program Address
X = Don’t Care
NOTES:
1. RA can be the GSR address or any BSR address. See Figure 4 for the Extended Status Register memory map.
2. Upon device power-up, all BSR lock-bits come up locked. The Upload Status Bits command must be written to reflect the
actual lock-bit status.
3. The upper byte of the data bus (D
8
–15
) during command writes is a
“Don’t Care.”
DATA
AD = Array Data
BSRD = BSR Data
GSRD = GSR Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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