參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 29/54頁(yè)
文件大小： 760K
代理商： 28F016XD
E
Read Cycle
(Continued)
28F016XD FLASH MEMORY
29
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
ROH
RAS# hold time referenced to OE#
40
ns
t
RCS
Read command setup time
5
ns
t
RCH
Read command hold time referenced to CAS#
6,10
0
ns
t
RRH
Read command hold time referenced to RAS#
6,10
0
ns
t
RAL
Column address to RAS# lead time
9
15
ns
t
CAL
Column address to CAS# lead time
9
75
ns
t
CLZ
CAS# to output in Low-Z
0
ns
t
OH
Output data hold time
0
ns
t
OHO
Output data hold time from OE#
0
ns
t
OFF
Output buffer turn-off delay
4
30
ns
t
OEZ
Output buffer turn off delay time from OE#
30
ns
t
CDD
CAS# to data-in delay time
30
ns
Write Cycle
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
RC(W)
Random write cycle time
90
ns
t
RAS(W)
RAS# pulse width (writes)
80
∞
ns
t
CAS(W)
CAS# pulse width (writes)
65
∞
ns
t
RCD(W)
RAS# to CAS# delay time (writes)
1
15
15
ns
t
RSH(W)
RAS# hold time (writes)
65
ns
t
CSH(W)
CAS# hold time (writes)
80
ns
t
WCS
Write command set-up time
5
0
ns
t
WCH
Write command hold time
15
ns
t
WCR
Write command hold time referenced to RAS#
3
30
ns
t
WP
Write command pulse width
15
ns
t
RWL
Write command to RAS# lead time
65
ns
t
CWL
Write command to CAS# lead time
65
ns
t
DS
Data-in set-up time
7,9
0
ns
t
DH
Data-in hold time
7,9
15
ns
t
DHR
Data-in hold time referenced to RAS#
3,9
30
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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