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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XD |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 28/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 760K |
| 代理商： | 28F016XD |
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28F016XD FLASH MEMORY
E
28
5.6 AC Characteristics
(11)
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, T
A
= 0°C to +70°C
Read, Program, Read-Modify-Program and Refresh Cycles (Common Parameters)
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
RP
RAS# precharge time
10
ns
t
CP
CAS# precharge time
15
ns
t
ASR
Row address set-up time
9
0
ns
t
RAH
Row address hold time
9
15
ns
t
ASC
Column address set-up time
9
0
ns
t
CAH
Column address hold time
9
20
ns
t
AR
Column address hold time referenced to RAS#
3,9
35
ns
t
RAD
RAS# to column address delay time
8,9
15
15
ns
t
CRP
CAS# to RAS# precharge time
10
ns
t
OED
OE# to data delay
10
30
ns
t
DZO
OE# delay time from data-in
10
0
ns
t
DZC
CAS# delay time from data-in
10
0
ns
t
T
Transition time (rise and fall)
10
2
4
ns
Read Cycle
Versions
28F016XD-95
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
RC(R)
Random read cycle time
105
ns
t
RAS(R)
RAS# pulse width (reads)
95
∞
ns
t
CAS(R)
CAS# pulse width (reads)
45
∞
ns
t
RCD(R)
RAS# to CAS# delay time (reads)
1
15
50
ns
t
RSH(R)
RAS# hold time (reads)
30
ns
t
CSH(R)
CAS# hold time (reads)
95
ns
t
RAC
Access time from RAS#
1,8
95
ns
t
CAC
Access time from CAS#
1,2
40
ns
t
AA
Access time from column address
8
75
ns
t
OEA
OE# access time
40
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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