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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XD |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位內存接口閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 10/54頁 |
| 文件大小： | 760K |
| 代理商： | 28F016XD |
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28F016XD FLASH MEMORY
E
10
2.1 Lead Descriptions
(Continued)
Symbol
Type
Name and Function
3/5#
INPUT
3.3/5.0 VOLT SELECT:
3/5# high configures internal circuits for 3.3V
operation. 3/5# low configures internal circuits for 5.0V operation.
NOTE:
Reading the array with 3/5# high in a 5.0V system could damage the
device. Reference the power-up and reset timings (Section 5.9) for 3/5#
switching delay to valid data.
PROGRAM/ERASE POWER SUPPLY (12.0V ± 0.6V, 5.0V ± 0.5V):
For
erasing memory array blocks or writing words into the flash array. V
PP
=
5.0V ± 0.5V eliminates the need for a 12.0V converter, while connection
to 12.0V ± 0.6V maximizes program/erase performance.
NOTE:
Successful completion of program and erase attempts is inhibited with
V
PP
at or below 1.5V. Program and erase attempts with V
PP
between 1.5V
and 4.5V, between 5.5V and 11.4V, and above 12.6V produce spurious
results and should not be attempted.
DEVICE POWER SUPPLY (3.3V ± 0.3V, 5.0V ± 0.5V):
To switch 3.3V to 5.0V (or vice versa), first ramp V
CC
down to GND, and
then power to the new V
CC
voltage.
Do not leave any power pins floating.
GROUND FOR ALL INTERNAL CIRCUITRY:
Do not leave any ground pins floating.
NO CONNECT:
Lead may be driven or left floating.
V
PP
SUPPLY
V
CC
SUPPLY
GND
SUPPLY
NC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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