參數(shù)資料
型號： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 23/54頁
文件大?。?/td> 760K
代理商： 28F016XD
E
5.4 DC Characteristics
(Continued)
V
= 3.3V ± 0.3V, T
= 0°C to +70°C
3/5# = Pin Set High for 3.3V Operations
Sym
Parameter
I
CCW
V
CC
Word Program
Current
28F016XD FLASH MEMORY
23
Notes
1,6
Min
Typ
8
Max
12
Unit
mA
Test Condition
V
PP
= 12.0V ± 5%
Program in Progress
V
PP
= 5.0V ± 10%
Program in Progress
V
PP
= 12.0V ± 5%
Block Erase in Progress
V
PP
= 5.0V ± 10%
Block Erase in Progress
RAS#, CAS# = V
IH
Block Erase Suspended
V
PP
≤
V
CC
V
PP
> V
CC
RP# = GND ± 0.2V
8
17
mA
I
CCE
V
CC
Block Erase
Current
1,6
6
12
mA
9
17
mA
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
V
PP
Standby/Read
Current
V
PP
Deep Power-
Down Current
V
PP
Word Program
Current
1,2
1
4
mA
I
PPS
1
± 1
30
0.2
± 10
200
5
μA
μA
μA
I
PPD
1
I
PPW
1,6
10
15
mA
V
PP
= 12.0V ± 5%
Program in Progress
V
PP
= 5.0V ± 10%
Program in Progress
V
PP
= 12.0V ± 5%
Block Erase in Progress
V
PP
= 5.0V ± 10%
Block Erase in Progress
Block Erase Suspended
15
25
mA
I
PPE
V
PP
Block Erase
Current
1,6
4
10
mA
14
20
mA
I
PPES
V
PP
Erase Suspend
Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
1
30
200
μA
V
IL
V
IH
6
6
-0.3
2.0
0.8
V
CC
+
0.3
0.4
V
V
V
OL
Output Low Voltage
6
V
V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 4.0 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –2.0 mA
V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –100 μA
V
OH1
Output High Voltage
6
2.4
V
V
OH2
6
V
CC
-
0.2
0.0
V
V
PPLK
V
PP
Erase/Program
Lock Voltage
V
PP
during Program/
Erase Operations
V
PP
during Program/
Erase Operations
V
CC
Erase/Program
Lock Voltage
3,6
1.5
V
V
PPH
1
3
4.5
5.0
5.5
V
V
PPH
2
3
11.4
12.0
12.6
V
V
LKO
2.0
V
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PDF描述
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