- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄203637 > W9412G2IB-4 (WINBOND ELECTRONICS CORP) 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | W9412G2IB-4 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 28/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | W9412G2IB-4 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁
W9412G2IB
Publication Release Date: Aug. 30, 2010
- 34 -
Revision A06
10.4 Write Timing (Burst Length = 4)
tIS
tIH
tDSH
tDSS
tDSH
tWPRES
tDH
tDS
tDQSS
tDSH
tDSS
Postam ble
tWPREH
Pream ble
tDQSH
tDQSL
tWPST
DA0
DA1
DA2
DA3
tWPRES
tDS
tDQSS
Postam ble
tWPREH
Pream ble
tDQSH
tDQSL
tWPST
tCH
tCL
tCK
DQS0
DQ0~7
DQS3
DQ24~31
x32 device
ADD
CM D
CLK
WRIT
Col
DA0
DA1
DA2
DA3
tDH
tDS
DA0
DA1
DA2
DA3
DA0
DA1
DA2
DA3
tIS
tIH
Note: x32 has four DQSs. (DQS0 for lower byte and DQS3 for upper byte)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9425G6JB-5 | DDR DRAM, PBGA60 |
| W9425G8DH-6 | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W946432AD-6 | 2M X 32 DDR DRAM, 0.1 ns, PQFP100 |
| W947D6HBHX6E | 8M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| W9602BB | PUSHBUTTON SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9412G2IB-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 DDR1 |
| W9412G6CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6IH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9412G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。