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參數(shù)資料
| 型號： | W9412G2IB-4 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 14/50頁 |
| 文件大小： | 826K |
| 代理商： | W9412G2IB-4 |
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W9412G2IB
Publication Release Date: Aug. 30, 2010
- 21 -
Revision A06
8.3 Function Truth Table, continued
CURRENT
STATE
CS
RAS
CAS
WE
ADDRESS
COMMAND
ACTION
NOTES
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A8
READ/READA
ILLEGAL
L
H
L
BA, CA, A8
WRIT/WRITA
ILLEGAL
3
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A8
PRE/PREA
ILLEGAL
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Read with
Auto-
precharge
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
Continue burst to end
L
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A8
READ/READA
ILLEGAL
L
H
L
BA, CA, A8
WRIT/WRITA
ILLEGAL
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A8
PRE/PREA
ILLEGAL
3
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Write with
Auto-
precharge
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
NOP-> Idle after tRP
L
H
X
NOP
NOP-> Idle after tRP
L
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A8
READ/READA
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, CA, A8
WRIT/WRITA
ILLEGAL
3
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A8
PRE/PREA
Idle after tRP
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Precharging
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
H
X
DSL
NOP-> Row active after tRCD
L
H
X
NOP
NOP-> Row active after tRCD
L
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A8
READ/READA
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, CA, A8
WRIT/WRITA
ILLEGAL
3
L
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
3
L
H
L
BA, A8
PRE/PREA
ILLEGAL
3
L
H
X
AREF/SELF
ILLEGAL
Row
Activating
L
Op-Code
MRS/EMRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9425G6JB-5 | DDR DRAM, PBGA60 |
| W9425G8DH-6 | 32M X 8 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W946432AD-6 | 2M X 32 DDR DRAM, 0.1 ns, PQFP100 |
| W947D6HBHX6E | 8M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| W9602BB | PUSHBUTTON SWITCH, SPST, MOMENTARY, 10A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9412G2IB-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16 DDR1 |
| W9412G6CH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M 】 4 BANKS 】 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6IH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9412G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
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