參數(shù)資料
型號: STW20NM50FD
廠商: 意法半導體
英文描述: Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
中文描述: N溝道500V - 0.22ohm - 20A至- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二極管
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 248K
代理商: STW20NM50FD
7/8
STW20NM50FD
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.85
2.20
0.40
1
MAX.
5.15
2.60
0.80
1.40
MIN.
0.19
0.08
0.015
0.04
MAX.
0.20
0.10
0.03
0.05
A
D
E
F
F1
F2
F3
F4
3
2
0.11
0.07
2
3
2.40
3.40
0.07
0.11
0.09
0.13
G
H
L
L1
L2
L3
L4
L5
M
V
V2
Dia
10.90
0.43
15.45
19.85
3.70
15.75
20.15
4.30
0.60
0.78
0.14
0.62
0.79
0.17
18.50
0.72
14.20
14.80
0.56
0.58
34.60
5.50
1.36
0.21
2
3
0.07
0.11
5
o
60o
5o
60o
3.55
3.65
0.14
0.143
TO-247 MECHANICAL DATA
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PDF描述
STW30NM60D N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STW20NM60FD 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW21N150K5 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):89nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3145pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30
STW21N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 17 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube