參數(shù)資料
型號(hào)： STW20NM50FD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道500V - 0.22ohm - 20A至- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二極管
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 248K
代理商： STW20NM50FD
1/8
June 2002
STW20NM50FD
N-CHANNEL 500V - 0.22
- 20A TO-247
FDmesh Power MOSFET (with FAST DIODE)
(1)I
SD
≤
20A, di/dt
≤
400A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
(*)Limited only by maximum temperature allowed
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.22
I
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
I
100% AVALANCHE TESTED
I
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE
I
LOW GATE INPUT RESISTANCE
I
TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH
MANUFACTURING YIELDS
DESCRIPTION
The FDmesh
associates all advantages of reduced
on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-
recovery body diode. It is therefore strongly recom-
mended for bridge topologies, in particular ZVS phase-
shift converters.
APPLICATIONS
I
ZVS PHASE-SHIFT FULL BRIDGE CONVERTERS
FOR SMPS AND WELDING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STW20NM50FD
500V
<0.25
20 A
Parameter
Value
Unit
500
V
500
V
±30
V
20
A
14
A
80
A
214
W
1.42
20
W/°C
V/ns
–65 to 150
°C
150
°C
TO-247
1
2
3
I
NTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW30NM60D N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
STW34NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STW40NS15 N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-247 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STW40N20 N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STW5NA90 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW20NM60 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NM60FD 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW20NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW21N150K5 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:89nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3145pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW21N65M5 功能描述:MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 17 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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