參數(shù)資料
型號： STW34NB20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： STW34NB20
STW34NB20
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PowerMESH
MOSFET
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.062
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERYLOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATECHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process,
SGS-Thomson
advanced
family
of
power
outstanding
performances.
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest R
DS(on)
per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
has
designed
MOSFETs
The
new
an
with
patent
APPLICATIONS
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES(SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENTAND UNINTERRUPTIBLE
POWERSUPPLIES AND MOTOR DRIVE
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEEDSWITCHING
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
January 1998
1
2
3
TO-247
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
200
V
V
DGR
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
200
V
V
GS
±
30
V
I
D
34
A
I
D
21
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
136
A
P
tot
180
W
Derating Factor
1.44
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limitedby safe operating area
150
(
1
) I
SD
≤
34A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.075
I
D
STW34NB20
200 V
34 A
1/8
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PDF描述
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參數(shù)描述
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