參數(shù)資料
型號(hào)： STW40N20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.038歐姆- 40A條TO-220/TO-247/D2PAK低MOSFET的柵極電荷STripFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
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代理商： STW40N20
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PRELIMINARY DATA
October 2000
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
STW40NS15
N-CHANNEL 150V - 0.042
- 40A TO-247
MESH OVERLAY MOSFET
I
NTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.042
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
This powermos MOSFET is designed using the
company’s consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY
process. This technology matches
and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
I
PRIMARYSWITCH IN ISOLATED DC-DC
CONVERTERS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STW40NS15
150 V
<0.052
40A
Parameter
Value
Unit
150
V
150
V
±20
V
40
A
25
A
I
DM (1)
P
TOT
Drain Current (pulsed)
160
A
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
180
W
0.933
9
W/°C
V/ns
dv/dt
T
stg
T
j
Storage Temperature
–65 to 175
°C
Max. Operating Junction Temperature
175
°C
1
2
3
TO-247
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PDF描述
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STW40N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:446W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW40N95DK5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DK5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3480pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:450W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 19A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW40N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3300pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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