參數(shù)資料
型號(hào): STW40N20
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
中文描述: N溝道200伏- 0.038歐姆- 40A條TO-220/TO-247/D2PAK低MOSFET的柵極電荷STripFET
文件頁(yè)數(shù): 6/6頁(yè)
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代理商: STW40N20
STW40NS15
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PDF描述
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STW40N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):89nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3260pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):446W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):99 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW40N95DK5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DK5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):38A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):100nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):3480pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):450W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 19A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW40N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 19A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):93nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3300pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30