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STW40NS15	N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-247 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STW40N20	N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STW5NA90	N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
STW5NB90	N-Channel 900V-2.3Ω-5.6A- TO-247 PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STW81100AT	MULTI-BAND RF FREQUENCY SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS

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STW34NB20_04	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.062 OHM - 34A TO-247 PowerMESH MOSFET
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STW34NM60ND	功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW35N60DM2	功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30

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型號：	STW34NB20
廠商：	意法半導(dǎo)體
英文描述：	N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述：	N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁數(shù)：	5/8頁
文件大小：	97K
代理商：	STW34NB20

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