參數(shù)資料
型號(hào)： STW20NM50FD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道500V - 0.22ohm - 20A至- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 248K
代理商： STW20NM50FD
3/8
STW20NM50FD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 250V, I
D
= 10 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 400V, I
D
= 20A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
22
ns
t
r
Rise Time
20
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
38
53
nC
Gate-Source Charge
18
nC
Gate-Drain Charge
10
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 400V, I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
6
ns
Fall Time
15
ns
Cross-over Time
30
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
20
A
Source-drain Current (pulsed)
80
A
Forward On Voltage
I
SD
= 20 A, V
GS
= 0
I
SD
= 20 A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 60V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.5
V
Reverse Recovery Time
245
ns
Reverse Recovery Charge
2
μC
Reverse Recovery Current
16
A
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW30NM60D N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247 Fast Diode MDmesh MOSFET
STW34NB20 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
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STW40N20 N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STW5NA90 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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