參數(shù)資料
型號： STW20NM50FD
廠商： 意法半導體
英文描述： Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Capacitance:470pF; Capacitance Tolerance: 5%; Voltage Rating:100VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Termination:Axial Leaded RoHS Compliant: Yes
中文描述： N溝道500V - 0.22ohm - 20A至- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： STW20NM50FD
STW20NM50FD
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. C
oss eq.
is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80%
V
DSS
.
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.585
30
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
10
Unit
A
700
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
500
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 10A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.22
0.25
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 10A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
9
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
1380
pF
Output Capacitance
290
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Equivalent Output
Capacitance
Gate Input Resistance
40
pF
C
oss eq.
(2)
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
130
pF
R
g
f=1 MHz Gate DC Bias=0
Test Signal Level=20mV
Open Drain
2.8
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PDF描述
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