參數(shù)資料
型號： STP1081ABGA-125
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256
封裝： PLASTIC, BGA-256
文件頁數(shù)： 24/32頁
文件大?。?/td> 478K
代理商： STP1081ABGA-125
30
STP1081
Preliminary
Companion Device for 250/300 MHz UltraSPARC-II Systems
UltraSPARC
-II Data Buffer (UDB-II)
July 1997
C14
GND
J22
UE
S22
SYSDATA[1]
X15
SYSDATA[49]
C15
VCC3
J23
CNTL[4]
S23
SYSDATA[2]
X16
VCC2
C16
EDATA[26]
K1
EDATA[3]
T1
SYSDATA[16]
X17
GND
C17
EDATA[19]
K2
GND
T2
SYSDATA[45]
X18
SYSDATA[53]
C18
GND
K3
EDATA[2]
T3
SYSDATA[46]
X19
SYSDATA[56]
C19
VCC3
K4
GND
T4
SYSDATA[18]
X20
SYSDATA[60]
D4
EDATA[57]
K20
UDB_H
T20
SYSDATA[38]
Y5
SYSDATA[26]
D5
EDATA[59]
K21
CNTL[3]
T21
GND
Y6
SYSDATA[29]
D6
EDATA[51]
K22
GND
T22
SYSDATA[36]
Y7
S_REPLY[1]
D7
GND
K23
CE
T23
SYSDATA[37]
Y8
SYSID[1]
D8
VCC1
L1
EDATA[1]
U1
SYSDATA[17]
Y9
PLL_BYPASS
D9
EDATA[53]
L2
EDATA[4]
U2
VCC2
Y10
SYSID[2]
D10
EDATA[48]
L3
EDATA[6]
U3
SYSDATA[21]
Y11
VCC_APLL
D11
VCC1
L4
EDATA[7]
U4
SYSDATA[20]
Y12
LF1A
D12
LF1B
L20
VCC1
U20
SYSDATA[61]
Y13
LF2A
D13
TMS
L21
CNTL[2]
U21
VCC2
Y14
S_REPLY[2]
D14
EDATA[27]
L22
VCC3
U22
SYSDATA[34]
Y15
SYSDATA[50]
D15
VCC1
L23
CNTL[0]
U23
SYSDATA[35]
Y16
SYSDATA[54]
D16
EDATA[25]
M1
EDATA[5]
V1
SYSDATA[19]
Y17
SYSDATA[52]
D17
EDATA[22]
M2
SYSDATA[8]
V2
GND
Y18
SYSDATA[59]
D18
EDATA[18]
M3
VCC3
V3
SYSDATA[22]
Y19
SYSDATA[57]
D19
EDATA[46]
M4
EDPAR[0]
V4
SYSDATA[23]
Y20
SYSDATA[32]
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP1081ABGA-150 SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256
STP1091PGA-75 2M X 1, CACHE CONTROLLER, CPGA376
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STP2011PGA SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STP10LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:630 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP10N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
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