參數(shù)資料
型號： STGP10NB37LZ
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條-對220內部鉗位PowerMesh⑩IGBT的
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： STGP10NB37LZ
1/9
November 2000
STGP10NB37LZ
N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220
INTERNALLY CLAMPED PowerMesh IGBT
I
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
I
LOW THRESHOLD VOLTAGE
I
LOW ON-VOLTAGE DROP
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The built in collector-gate zener
exhibits a very precise active clamping while the
gate-emitter zener supplies an ESD protection.
APPLICATIONS
I
AUTOMOTIVE IGNITION
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Reverse Battery Protection
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
CM
Collector Current (pulse width < 100
μ
s)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
E
SD
ESD (Human Body Model)
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGP10NB37LZ
CLAMPED
< 1.8
V
20 A
Parameter
Value
Unit
CLAMPED
V
18
V
CLAMPED
V
20
A
60
A
125
W
0.83
W/°C
4
KV
–65 to 175
°C
175
°C
TO-220
1
2
3
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STGP20NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGP20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STGW20NC60V N-CHANNEL 30A - 600V - TO-220/TO-247 Very Fast PowerMESH IGBT
STH13NB60FI N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
STW13NB60 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STGP10NB60S 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP10NB60S_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT
STGP10NB60SD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGP10NB60SDFP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh⑩ IGBT
STGP10NB60SFP 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH 10 A 600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*